PA-LASI系列冲击加速度传感器是建造在硅晶片顶部的表面MEMS多硅结构，多晶硅簧片悬浮在晶片表面的结构，并提供一个克服加速度感应力的阻力，用包含两个独立的固定板和一个与运动质块相连的中央板形成的差动电容器机构来测量比例于加速度的多硅结构的偏转，从而产生电压输出信号。
3.技术参数
技术参数 | 加速度 | |
A x | ||
输入电压（Vdc） | ＋12±5％Vdc | |
输入电流（mA） | 10mA | |
测量范围注① | ±50g | |
刻度因数（mV/g） | 40±5 | |
满量程输出电压（V） | 0～5V内 | |
零偏电压（V） | 2.5±0.1V | |
非线性度（％FS） | ≤0.2%FR | |
启动时间（ms） | ＜10ms | |
带宽注③ | 0~8000Hz（-3dB） | |
交叉偶合 | <±3% | |
可靠性 | MTBF 10万小时 | |
工作温度 | －40℃～＋85℃ | |
冲击 | 不供电,0.5ms | 10000g |
供电，0.5ms | 10000g | |
重量 | 30g | |
.外形尺寸 | 28*28*16和35×35×25mm3详见5.外形尺寸图 | |
注：①测量范围可选：±2g、±5g、±10g、±20g、±50g、±100g、±250g和±500g.
②可选≤20KHz的任一带宽值，
4.引线定义：电缆长度50公分
电缆色别 Pin | 定义 |
1 | 电源、信号地Ground |
2 | 加速度计Axout |
5 | 壳体地Case GND |
6 | +12V VDD |
其余 | 悬空 |
