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晶体管特性测试仪

更新:2023-05-11 15:00 发布者IP:124.116.164.120 浏览:1次
发布企业
西安天光测控技术有限公司商铺
认证
资质核验:
已通过营业执照认证
入驻顺企:
6
主体名称:
西安天光测控技术有限公司
组织机构代码:
91610131MA6UUR694D
报价
人民币¥3000.00元每台
品牌
天光测控
型号
ST-SP 2001
关键词
晶体管图示仪,曲线追踪仪,MOSFET参数测试
所在地
陕西省西安市高陵区泾环北路1798号11-303
手机
15596668116
联系人
王先生  请说明来自顺企网,优惠更多
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产品详细介绍

产品目录
► 晶体管图示仪(曲线追踪仪)
► 半导体分立器件测试筛选系统。
► 静态测试设备:包括导通、关断、击穿、漏电、增益等直流参数
► 动态测试设备:包括 Tr, Trr , Qg , Rg , FRD , UIS , SC , Ci , RBSOA 等
► 环境老化测试:包括 HTRB , HTGB , H3TRB , Surge 等
► 热特性测试:包括 PC , TC , Rth , Zth , Kcurve 等
► 测试范围:Si , SiC , GaN 材料的 IPM , IGBT , MOSFET , DIODE , BJT ,SCR等分立器件及功率器件。

ST-SP2001
晶体管特性测试仪


可测试 19大类27分类 的大中小功率分立器件及模块的静态直流参数
(测试范围包括Si/SiC/GaN材料的 IGBTs/DIODEs/MOSFETs/BJTs/SCRs 等器件)
主极2000V / 50~1250A,分辨率*高至1mV / 10pA

支持曲线扫描图示功能

♦产品应用
应用领域
**院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车等所有的半导体器件应用产业链……
主要用途
测试分析(功率器件研发设计阶段的初始测试)
 失效分析(对失效器件进行测试,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案)
 选型配对(在器件焊接至电路板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对)
 来料检验(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率)
产线自动化测试(可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规模化、自动化测试)

♦产品简述
    产品扩展性强,通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了
系统操作。通过功能按键,系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。

     曲线追踪仪(晶体管图示仪)功能则是利用高速ATE测试步骤逐点生成曲线,可快速而准确地生成**的数据点。数据增量是可编程的线性或对数,典型的每步测试时间为6到20ms。一个两百条数据点曲线通常只需几秒钟就能完成。使用该系列跟踪仪更容易获取诸如Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB andMOSFET 
RDSvs. VGS 等曲线数据。此外, 针对多条曲线,设备可以根据每条曲线的数据运行并将所获数据自动发送到一个单独的 Excel工作表。系统能够更快,更简洁的创建曲线(单击,双击,选择输入菜单,单击)。就是这么简单。设备支持在单个 DUT 上运行高达 10条不同曲线的能力,在运行过程中,每个图表都是可视的,每个数据集都被加载到一个被命名的 Excel工作表中。系统运行速度快,可进行数据记录,提供更**的数据工具箱,能够运行多条曲线并自动排序,自动将数据存入 Excel表格,具有缩放功能,光标重新运行功能以及其他许多优点。

     系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口,可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。





♦可供选择的曲线



所属分类:中国仪表网 / 参数测量仪
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法定代表人王军
注册资本300万
登记机关高陵区市场监管局
主营产品半导体分立器件测试筛选系统|IGBT静态参数测试仪|IGBT动态参数测试仪| 功率循环试验台|高温反偏差测试系统
经营范围工业电气产品及电力电子测控设备的研发、销售;功率半导体器件的开发设计;电力电子技术的技术转让;货物与技术的进出口经营(国家限制、禁止和须经审批进出口的货物和技术除外)。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
公司简介西安天光测控技术有限公司是一家专业从事半导体功率器件测试设备研发、生产、销售的高新技术企业。产品有半导体分立器件测试筛选系统。Si,SiC,GaN材料的IPM,IGBT,MOS,DIODE,BJT,SCR的电参数及可靠性和老化测试。静态单脉冲(包括导通、关断、击穿、漏电、增益等直流参数)动态双脉冲(包括Turn_ON_L,Turn_OFF_L,FRD,Qg)Rg,UIS,SC,C,RBSOA等。环 ...
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