二极管反向恢复时间测试仪
用于测试器件级的 Diode,IGBT,MOSFET动态交流参数
1200V/100A，短路电流2500A
替代ITC57300，多项功能及指标优于ITC57300
♦ 技术规格
基础能力
*大输出能力：电压1200V电流200A
*小时间测量值：0.1ns
Windows系统的控制计算机水印签字*西安天光测控*水印签字
LabVIEW软件界面水印签字*西安天光测控*水印签字
物理规格
单机尺寸：800×800×1800mm水印签字*西安天光测控*水印签
质 量：165kg水印签字*西安天光测控*水印签字
系统功耗：200w
ST-AC1200_S_R
开关时间（阻性）测试单元
美军标750
方法为3472
脉宽：0.1us~100us步进0.1µs
栅极电压：0~20V，分辨率0.1V
栅极电流*大10A水印签字*西安天光测控*水印签字
漏极电流*大75A（支持扩展200A、500A）
占空比小于0.1%水印签字*西安天光测控*水印签字
VDD/漏极电压 5V~100 V分辨率0.1V
100V~1200V分辨率1.0VST-AC1200_D
反向恢复特性测试单元
美军标750
方法3473
IF/正向电流：0.1~50A@0.1A分辨率
50~200A@0.5A分辨率
di/dt/反向电流斜率：25-600A/uS 1.0A/ns Steps
VR/反向电压：20~1200V
IRM/反向电流：总正向和反向*大电流200A以内。
占空比：＜1.0%水印签字*西安天光测控*水印签字
TRR/反向恢复时间范围：1ns~2us
VDD/漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0VSteps
Qrr/反向恢复电荷：0.1nC~100uC
ST-AC1200_Q
栅电荷测试单元
美军标750，
方法3471
栅极电流：0~10mA@10uA分辨率
栅级电压：0~20V@0.1V分辨率
漏极电流（固态负载）：1~25A@0.1A分辨率
分辨率水印签字*西安天光测控*水印签字
漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V StepsST-AC1200_S_L
开关时间（感性）测试单元
美军标750，
方法3477
漏极电流：1.0~50A@0.2A分辨率
电感：0.1mH至159.9mH（外挂）
栅极电压：0~20V@0.1V分辨率
漏极电压：5V~100V，0.1V Steps
1.0V Steps
ST-AC1200_S
短路特性测试单元
美军标750，
方法3479
*大电流：标配200A（选配1000A）
脉宽：1us~100us
漏极电压5V~100V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V StepsST-AC1200_RC
栅电阻结电容测试单元
JEDEC Std
JESD24-11
Rg/栅电阻：0.1~100Ω水印签字*西安天光测控*水印签字
结电容参数：Ciss，Coss，Crss
漏极偏置电压：1200V*大
栅极偏置电压：0~20V@0.1V分辨率
频率：标配0.1MHZ~1MHZ
电网环境
AC220V±10%，50Hz±1Hz。水印签字*西安天光测控*水印签字
MOSFET动态参数测试仪主要用于测试二极管、IGBT、MOS动态特性参数，产品功能指标对标ITC57300,对标资料如下。
资料说明：
对比内容：半导体分立器件动态参数测试系统
对比厂商：美国ITC公司（下文简称ITC）、西安天光测控技术有限公司（下文简称西安天光）
对比型号：ITC/ITC57300、西安天光/ST-AC1200_X
MOSFET动态参数测试仪 以ITC57300作为参考标准，西安天光的产品资料中“蓝色字体”为西安天光的减分项（指标低于ITC57300），“红色字体”为西安天光的加分项（指标高于ITC57300），“黑色字体”表示双方指标一致。
美国ITC公司
ITC57300西安天光测控技术有限公司
ST-AC1200_X基础能力*大输出能力：电压1200V电流200A*小时间测量值：1.0nsWindows系统的控制计算机LabVIEW软件界面水印签字*西安天光测控*水印签字物理规格高=76英寸宽=44英寸(包括显示器和键盘)深=50英寸(包括接收器)重=550磅ITC57210开关时间（阻性）测试单元美军标750方法为3472脉宽：0.1µs~10µs步进0.1µs栅极电压±20V分辨率0.1V栅极电流*大1.0A漏极电流*大200A占空比小于0.1%VDD/漏极电压 5V~100 V分辨率0.1V 100V~1200V分辨率1.0V水印签字*西安天光测控*水印签字ITC57220反向恢复特性测试单元美军标750方法3473IF/正向电流：ITC5722B：1.0~50A@0.2A分辨率分辨率di/dt/反向电流斜率：25-600A/uS 1.0A/nsStepsVR/反向电压：20~1200VIRM/反向电流：总正向和反向*大电流200A以内。占空比：＜1.0%TRR/反向恢复时间范围：10ns~2.0usVDD/漏极电压：5V~100V，0.1V Steps 100V~1200 V，1.0VStepsQrr/反向恢复电荷：1nc~100uC水印签字*西安天光测控*水印签字ITC57230栅电荷测试单元美军标750方法3471栅极电流：低0~2.0mA@0.01mA分辨率中2.0~20.0mA@0.1mA分辨率20.0~200.0mA@1.0mA分辨率栅电压范围：±20V@±0.1V分辨率漏极电流（固态负载）：1~25A@0.1A分辨率分辨率漏极电压：5V~100V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0VSteps水印签字*西安天光测控*水印签字ITC57240开关时间（感性）测试单元美军标750方法3477漏极电流：1.0~50A@0.2A分辨率分辨率电感：0.1mH至159.9mH栅极电压：±20V@0.1V分辨率漏极电压：5V~100V，0.1VSteps，1.0VSteps水印签字*西安天光测控*水印签字ITC57250短路特性测试单元美军标750方法3479*大电流：1000A脉宽：1us~100us栅驱电压：±20V@0.1V分辨率漏极电压5V~100V，0.1VSteps100V~1200 V，1.0V Steps水印签字*西安天光测控*水印签字ITC57260栅电阻结电容测试单元JEDECStdJESD24-11Rg/栅电阻：0.1~50mΩ结电容参数：Ciss，Coss，Crss漏极偏置电压：1200V*大栅极偏置电压：±20V频率：0.1MHZ~4MHZ电网环境220V50~60 Hz单相 可选择240V220V/12A 20A 30A水印签字*西安天光测控*水印签字基础能力*大输出能力：电压1200V电流200A*小时间测量值：0.1nsWindows系统的控制计算机LabVIEW软件界面水印签字*西安天光测控*水印签字物理规格单机尺寸：800×800×1800mm质量：165kg系统功耗：200wST-AC1200_S_R开关时间（阻性）测试单元 美军标750方法为3472脉宽：0.1us~100us步进0.1µs栅极电压：0~20V，分辨率0.1V栅极电流*大10A漏极电流*大75A（支持扩展200A、500A）占空比小于0.1%VDD/漏极电压 5V~100 V分辨率0.1V 100V~1200V分辨率1.0V水印签字*西安天光测控*水印签字ST-AC1200_D反向恢复特性测试单元 美军标750方法3473IF/正向电流：0.1~50A@0.1A分辨率50~200A@0.5A分辨率di/dt/反向电流斜率：25-600A/uS 1.0A/nsStepsVR/反向电压：20~1200VIRM/反向电流：总正向和反向*大电流200A以内。占空比：＜1.0%TRR/反向恢复时间范围：1ns~2usVDD/漏极电压：5V~100V，0.1V Steps 100V~1200 V，1.0VStepsQrr/反向恢复电荷：0.1nC~100uC水印签字*西安天光测控*水印签字ST-AC1200_Q栅电荷测试单元 美军标750，方法3471栅极电流：0~10mA@10uA分辨率栅级电压：0~20V@0.1V分辨率漏极电流（固态负载）：1~25A@0.1A分辨率水印签字*西安天光测控*水印签字漏极电压：5V~100V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0VStepsST-AC1200_S_L开关时间（感性）测试单元美军标750，方法3477漏极电流：1.0~50A@0.2A分辨率分辨率电感：0.1mH至159.9mH（外挂）栅极电压：0~20V@0.1V分辨率漏极电压：5V~100V，0.1VSteps，1.0VSteps水印签字*西安天光测控*水印签字ST-AC1200_S短路特性测试单元美军标750，方法3479*大电流：标配200A（选配1000A）脉宽：1us~100us栅极电压：0~20V@0.1V分辨率漏极电压5V~100V，0.1VSteps100V~1200 V，1.0VSteps水印签字*西安天光测控*水印签字ST-AC1200_RC栅电阻结电容测试单元 JEDECStdJESD24-11Rg/栅电阻：0.1~100Ω结电容参数：Ciss，Coss，Crss漏极偏置电压：1200V*大栅极偏置电压：0~20V@0.1V分辨率频率：标配0.1MHZ~1MHZ（¥3W）0.1MHZ~4MHZ（¥15W） 水印签字*西安天光测控*水印签字电网环境AC220V±10%，50Hz±1Hz。
其它测试功能（加分项）
雪崩特性测试单元
EAS
IAS
PAS
di/dt测试单元
dv/dt测试单元
静态参数测试单元（可测试IGBT、MOSFET、二极管的静态直流参数）
安全工作区/RBSOA
热阻（包括稳态热阻和瞬态热阻）
产品系列
晶体管图示仪
半导体分立器件测试筛选系统
静态参数（包括 IGEs / VGE(th) / VCEsat / VF / ICEs / VCEs等）
动态参数（包括 Turn_ON&OFF_L / / Qg / Rg / UIS / SC /RBSOA等）
环境老化（包括 HTRB / HTGB / H3TRB / Surge等）
热特性（包括 PC / TC / Rth / Zth / Kcurve等）
可测试 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / MOSFETs / DIODEs / BJTs / SCRs等功率器件