西安易恩电气坐落于西安渭北工业装备区，是陕西省政府重点支持的高新技术企业。公司专注于研发、生产和销售半导体封装、测试设备。现已成为国内电力电子行业的测试方案供应商。公司以自主研发生产的“轨道机车半导体测试系统”系列产品为主导，在此基础上相继推出全自动大功率IGBT参数测试系统，分立器件综合测试仪，功率器件图示系统，晶体管图示仪，MOS动静态测试测试仪，晶闸管测试仪，雪崩、浪涌、高温阻断、高温反偏、栅电荷测试系统等系列产品。广泛应用于科研院所、能源、电力电子、交通、船舶制造、高校等诸多领域。
分立器件测试设备测试可测试市面上常见的18类分立器件静态全参数，如一下参数；
1、二极管DIODE
测试参数名称
电压范围
电流范围
分辨率
精度
IR
0.10V-2kV
1nA(20pA)1-50mA
1nA(1pA)1
1%+10nA+20pA/V
(1%+200pA+2pA/V)1
BVR
1nA-3A
1mV
1%+10mV
VF
0.10V-5.00V
-9.99V
IF:10uA-50A(1250A)3
-25A(750A)3
VF:1%+10mV
IF:1%+1nA
2、绝缘栅双极大功率晶体管IGBT
ICES
IGESF
IGESR
0.10V-20V(80V)2
1nA(20pA)1-3A
BVCES
0.1V-900V
-1.4KV
-1.6KV
100μA-200mA
-100mA
-50mA
1%+100mV
VGETH
0.10V-20V(50V)2
VCESAT ICON
VGEON VF
gFS(混合参数)
VCE:0.10V-5.00V
-9.99V
VGE:0.10V-9.99V
IC:10uA-50A(1250A)3
-25A(750A)3
IF, IGE:1nA-10A
V:1%+10mV
IF IC:1%+1nA
IGE:1%+5nA
3、晶体管 TRANSISTOR
ICBO ICEO/R/S/V
IEBO
1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A
BVCEO
BVCBO
BVEBO
0.10V-900V
-1.4kV
-1.6kV
0.10V-2KV
1nA-200mA
-100mA
-50mA
hFE(1-10000)
VCE:0.10V-5.00V
-49.9V
-3A
IB:1nA-10A
0.01hFE
VCE: 1%+10mV
IC: 1%+1nA
IB: 1%+5nA
VCESAT VBESAT
VBE(VBEON) RE
VBE:0.10V-9.99V
IE:10uA-50A(1250A)3
V：1%＋10mV
IE：1%＋1nA
IB：1%＋5nA
4、MOS场效应管 MOS-FET
IDSS/VIGSSFIGSSR
VGSFVGSR
BVDSS
1nA-50mA
VGSTH
0.10V-49.9V
ID:100uA-3A
1%+ 10mV
VDSON、VF(VSD)
IDON、VGSON
RDSON(混合参数)
gFS (混合参数)
VD VF:0.10V-5.00V
VGS:0.10V-9.99V
IFID:10uA-50A(1250A)3
IG:1nA-10A
IF.ID:1%+1nA
IG：1%+5nA
5、J型场效应管J-FET
IGSS IDOFF
IDGO
VGS:0.10V-20V(80V)2
VDS:0.10V-999V
1nA(20pA)1-3A 1nA(20pA)1-50mA
BVDGO
BVGSS
VDSON，VGSON
IDSS，IDSON
RDSON (混合参数)
gFS (混合参数)
0.10V-5.00V
-9.99V
ID:10uA-50A(1250A)3
-25A(750A)3
ID:1%+1nA
IG:1%+5nA
VGSOFF
ID:1nA(20pA)2-3A
VD:0.10V-50V
1%＋10mV
6、单向可控硅整流器（普通晶闸管）SCR
IDRM、IRRM、
IGKO
VDRM、VRRM
BVGKO
VTM
10uA-50A(1250A)3
1 mV
VT:1%+10mV
IT:1%+1nA
I GT
VGT
VD:5V-49.9V
VGT:0.10V-20V(80V)2
VT:100mV-49.9V
IGT:1nA-3A
RL:12Ω/30Ω/100Ω
/EXT
1nA
1%+5nA
IL(间接参数)
IL:100μA-3A
N/A
IH
IH:10uA-1.5A
(IAK初值由RL设置)
1uA
1%+2uA
