.CISSOID公司耐高温MSOFET场效应晶体管，100V高温MOSFET，大多采用SIC技术生产而成。SiC是由硅和碳组成的化合物半导体材料，C原子和Si原子不同的结合方式使SiC拥有多种晶格结构，如4H，6H，3C等等。4H-SiC因为其较高的载流子迁移率，高温MOSFET，能够提供较高的电流密度，常被用来做功率器件。下表是4H-SiC与Si物理特性对比。我们可以清楚地看到4H-SiC禁带宽度为Si的3倍，击穿场强为Si的10倍，漂移率为Si的2倍，热导率为Si的2.5倍。
高温MOSFET(场效应管)是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而双极结型晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。因此被称之为双极型器件。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。高温MOSFET（高温场效应晶体管），高温MOSFET大电流，欢迎联系陕西妙奇微电子科技有限公司。
就选择MOS管而言，必须确定漏源极间可能承受的大电压，即大VDS。由于MOS管所能承受的大电压会随温度变化而变化，高温MOSFET高电压，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。另外，不同应用的额定电压也有所不同；通常便携式设备选用20V的MOS管，FPGA电源为20～30V的MOS管，85～220VAC应用时MOS管VDS为450～600V。
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