半导体实验室功率MOSFET电参数测试系统

 MOSFET综合测试系统技术指标

1 栅极-源极电压VGSS及漏电流IGSS

电压VGS：-20V-20V 误差±3%±0.2V

电流IGSS：0.01-10µA误差±3%±0.01µA

漏极电压：VDS=0V         

2 漏极-源极电压VDSS及电流IDSS

漏极电压VDSS：0-150V  误差±3%

漏极电流IDSS：0.1µA-10mA  误差±5%±0.1µA

栅极电压VGS=0V

3 栅极-源极阀值电压VGS(th)

VGS(th)：0.1-10V 误差±3%±0.1V

显示栅极-源极阈值电压VGS(th)

VDS= VGS

漏极电流ID：0.1-2mA 误差±3%

4 RDS（on）/IDM

RDS（on）：0~2mΩ

栅极电压VGS：10V 误差±2%±0.2V

漏极电流ID：10-2000A误差±3%

漏极冲击电流IDM：10-3500A  误差±3%

5 二极管压降测试VF/ISM

VF：0.1-5V 误差±3%±0.01V

栅极电压VGS：0V

电流IF：10-2000A误差±3%

反向冲击电流ISM：10-3500A 误差±3%

6 热敏电阻R

R：0~10K

7 开关时间测试条件

ØID：50A～900A

ØVDS：0V～50V

ØVGS：0V～＋20V±3%±0.1V

ØRg：5R、10R可选择

l负载：感性负载、阻性负载

l电感范围：20µH、50µH、100µH、200µH

l电阻范围：0.05R

8 MOSFET开关特性测试参数

Ø开通延迟td(on)：20ns-10μs

20ns～99ns±3%±1ns；

100ns～999ns±3%±5ns；

1000ns～10μs±3%±10ns。

Ø上升时间tr：20ns-10μs

Ø关断延迟时间td(off)：20ns-10μs

100ns～999μs±3%±5ns；

Ø下降时间tf：20ns-10μs

9 二极管反向恢复特性测试

FRD测试条件：

Ø正向电流IF：50A～900A

Ø反向电压Vr：0V～50V

负载：感性负载可选

电感范围：20μH、50μH、100μH、200μH

FRD测试参数：

Ø反向恢复时间trr：20ns～2μs

1000ns～2μs±3%±10ns。

Ø反向恢复电荷Qc：10nC～10μC

10nC～100nC±3%±2nC；

100nC～1000nC±3%±10nC；

1μC～10μC±3%±50nC。

Ø反向恢复电流峰值Irm

10 栅极电荷测试

测试条件：

Ø集电极电流ID：0A～900A

Ø集电极电压VDS：0V～50V

Ø栅极电压VGS：0V～+20V±2%±0.1V

Ø负载：感性、阻性负载

Ø电感范围：20μH、50μH、100μH、200μH

Ø电阻范围：0.05R

Ø测试参数Qg：20nC～20μC

20nC～100nC±5%±10nC；

100nC～1000nC±5%±20nC；

1μC～10μC±5%±50nC；

10μC～20μC±5%±100nC。

11 雪崩测试

l电源电压：20-200V

l雪崩能量：实测

l雪崩电流：1A-200A

l电感：30uH、100uH、200uH

l电压波形：方波

l脉冲宽度：100μS-800mS

l测试频率：单次/重复

12 控制方式及夹具说明

控制方式：计算机控制；

数据采集方式：计算机采集；

测试结果显示方式：计算机显示；

计算机显示测试结果并可记录测试数据，测试记录表格按照用户提供的格式进行编写，器件编号输入方式手动输入；

本系统采用研华计算机进行时序控制、数据采集、数据显示等，测试系统具有人性化的操作界面，操作者可对测试条件等参数进行设置并保存，并可对测试数据进行存储，为了对测试结果进行统计和分析，记录数据可转为Excel表格格式。

夹具加热功能：

温度控制精度范围：75～150℃；

75℃-125℃±1.0℃；

125℃-150℃±1.5℃。

设备出厂时含一套测试夹具及适配器两个，后续添加适配器另行协商。